EMMI光子微漏電位置特定分析システム
製品概要
EMMI光子マイクロリーク電流定位分析システムは、集積回路の故障解析において重要な分析ツールであり、リーク電流の位置特定は故障解析者にとって必須の手段である。チップは動作中にマイクロリーク現象を比較的頻繁に示し、微弱なリーク電流は極端な条件下ではしばしば増幅されて、チップ乃至はシステム全体の機能停止を招くことがあるため、チップのマイクロリーク現象は集積回路の故障解析において極めて重要な要素となっている。
アプリケーションと性能
ワイドバンドギャップ半導体（GaNやSiCなど）デバイスの故障解析に対応するため、当社は400nm～1000nmの波長域で動作するEMMI試験システムを提供しています。このシステムは、GaN HEMT、GaN LED、SiC PINダイオード、SiC p-n接合、シリコン系MOSFETおよびICなどのチップにおいて、μAレベルの漏れ電流の発生位置を高精度に特定することが可能です。また、本システムは1μm未満の空間分解能を有し、極めて微弱な光を高感度にイメージングできます。
テストケース
GaN PDs
GaN発光ダイオード
Si MOSFET
シ エフアールディー
Si IGBT